1 吉林大学原子与分子物理研究所，吉林 长春 130012
2 吉林大学吉林省应用原子分子光谱重点实验室，吉林 长春 130012
利用改进的马赫-曾德尔干涉仪测量了拉盖尔-高斯（LG）光束的轨道角动量（OAM）［拓扑电荷（TC）的值和符号］。模拟结果与实验结果一致。当LG光束与高斯光束发生干涉时，可以观察到类似漩涡的“花瓣”图案。“花瓣”的数量等于LG光束的TC的绝对值，干涉图样的旋转方向与TC符号有关：在TC符号为正时，干涉图样显示顺时针旋转；而在TC符号为负时，干涉图样显示逆时针旋转。只有当LG光束的光斑尺寸小于高斯光束的光斑尺寸时，才能根据干涉图样准确确定OAM状态。当LG光束的光斑尺寸接近高斯光束时，干涉图样只反映TC值，无法识别TC的符号。与传统干涉仪相比，该干涉仪可以获得稳定的干涉图样，并直接获得LG光束的OAM状态。实验现象是明显的。该研究结果为LG光束与高斯光束干涉的理论分析提供了参考，为光与物质之间的自旋-轨道相互作用奠定了研究基础。
衍射与光栅 涡旋光束 轨道角动量 马赫-曾德尔干涉仪 激光与光电子学进展
2022, 59(17): 1705001
1 吉林化工学院理学院, 吉林 吉林 132022
2 吉林大学原子与分子物理研究所, 吉林 长春 130012
3 吉林大学吉林省应用原子分子光谱重点实验室, 吉林 长春 130012
在大气环境中,研究平行板约束对激光诱导PMMA等离子体中CN分子光谱的影响,测量得到的5条光谱峰所处波长分别为388.29 nm(0-0)、387.0 nm(1-1)、386.14 nm(2-2)、385.44 nm(3-3)及385.03 nm(4-4)。实验结果表明,空间约束下的CN分子光谱峰强度明显高于无空间约束下的。另外,通过拟合CN光谱获得了CN分子的振动温度,结果显示,空间约束下的CN分子的振动温度明显高于无空间约束下的振动温度,且高激光能量下的CN分子振动温度高于低激光能量下的振动温度。平行板反射冲击波压缩等离子体羽,使得其温度和数密度增加,增强了激光诱导PMMA等离子体中CN分子的光谱强度。
光谱学 激光诱导击穿光谱 空间约束 光谱增强 振动温度
1 吉林化工学院理学院, 吉林 吉林 132022
2 吉林大学原子与分子物理研究所, 吉林 长春 130012
3 吉林省应用原子分子光谱重点实验室, 吉林 长春 130012
利用Nd∶YAG纳秒激光脉冲烧蚀硅产生等离子体光谱,通过改变聚焦透镜到样品表面的距离,研究硅等离子体光谱中原子谱线强度和离子谱线强度的变化,主要讨论的谱线为Si(I) 390.55 nm和Si(II) 385.60 nm。结果表明:Si(I)谱线强度和Si(II)谱线强度的变化依赖于透镜到样品表面的距离,随着透镜到样品表面的距离的增大,谱线强度先升高后降低;当样品表面远离焦点时,Si(I)谱线强度高于Si(II)谱线强度;当样品表面接近焦点时,Si(II)谱线强度高于Si(I)谱线强度;激光能量密度升高可使产生的等离子体中更多的原子电离成离子,使得离子谱线强度升高;改变透镜到样品表面的距离能优化激光诱导击穿光谱的辐射强度,同时能优化离子谱线强度与原子谱线强度的比值。
光谱学 激光诱导击穿光谱 透镜到样品表面的距离 原子谱线 离子谱线 硅 中国激光
2019, 46(11): 1111001
Author Affiliations
Abstract
1 Institute of Atomic and Molecular Physics, Jilin University, Changchun 130012, China
2 Jilin Provincial Key Laboratory of Applied Atomic and Molecular Spectroscopy (Jilin University), Changchun 130012, China
The ultrafast dynamic process in semiconductor Ge irradiated by the femtosecond laser pulses is numerically simulated on the basis of van Driel system. It is found that with the increase of depth, the carrier density and lattice temperature decrease, while the carrier temperature first increases and then drops. The laser fluence has a great influence on the ultrafast dynamical process in Ge. As the laser fluence remains a constant value, though the overall evolution of the carrier density and lattice temperature is almost independent of pulse duration and laser intensity, increasing the laser intensity will be more effective than increasing the pulse duration in the generation of carriers. Irradiating the Ge sample by the femtosecond double pulses, the ultrafast dynamical process of semiconductor can be affected by the temporalinterval between the double pulses.11474129), the Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education in China (grant no. 20130061110021) and the Project 2015091 Supported by Graduate Innovation Fund of Jilin University.
carrier carrier energy transfer energy transfer femtosecond laser femtosecond laser lattice lattice semiconductor semiconductor High Power Laser Science and Engineering
2016, 4(2): 02000e12
